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2009-2010年中国半导体功率器件市场研究年度报告
完成日期:2010年05月
报告类型纸介版PDF Email版PDF 光盘版两种版本价格
价格 11000元   
优惠价    
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报告页数50 图表数   


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目录
研究对象
主要结论
重要发现
一、2009年全球半导体功率器件市场概述
(一) 市场规模与增长
(二) 基本特点
1、市场呈现负增长
2、局部市场表现各有不同
(三) 主要国家与地区
1、美国
2、欧洲
3、日本
二、2009年中国半导体功率器件市场概述
(一) 市场规模与增长
(二) 基本特点
1、电源管理IC市场需求不振
2、3G、照明成为MOSFET市场发展亮点
3、本土企业市场竞争力有所提升
(三) 市场结构分析
1、产品结构
2、应用结构
三、2010-2012年中国功率器件市场发展预测
(一) 2010-2012年中国功率器件市场规模预测
(二) 2010-2012年中国功率器件市场结构预测
1、产品结构
2、应用结构
四、2010-2012年中国功率器件市场趋势分析
(一) 产品与技术
(二) 价格
(三) 渠道
五、2009年中国功率器件市场细分产品研究
(一) MOSFET
1、市场规模与增长
2、电压结构
3、应用结构
4、封装结构
(二) IGBT
(三) 电源管理IC
六、中国功率器件市场竞争力分析
(一) 整体竞争格局
(二) 重点厂商竞争策略与SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、Vishay
4、……
七、建议

表目录
 2006-2009年中国功率器件市场规模
 2009年中国功率器件市场结构
 2009年中国功率器件市场应用结构
 2009年中国MOSFET市场规模
 2009年中国MOSFET市场应用结构
 2009年中国MOSFET市场电压结构
……
图目录
 2006-2009年全球功率器件市场规模
 2009年中国功率器件市场品牌结构
 2009年中国MOSFET市场品牌结构
 2009年中国IGBT市场品牌结构
……






报告简介

  随着整机产品更加重视节能、高效,电源管理IC 、MOSFET、IGBT仍是未来功率器件市场中的发展亮点。进入2009年后,受到2008年第四季度需求压抑影响,2月中国MOSFET市场实现环比增长7.2%,摆脱自2008年底开始出现的环比负增长局面。在众多应用领域中,主板仍是MOSFET最大的应用市场,照明、3G、蓝光成为发展亮点,上网本在经过上半年的快速发展后,下半年市场规模有所萎缩。
  从竞争格局上看,欧美厂商依旧占据中国功率器件市场竞争优势地位。对于亮点产品MOSFET而言,飞兆、Vishay、英飞凌、IR仍处于领先地位,此外,中国台湾企业和韩国企业也占有一定的市场份额。在中国台湾企业中茂达、富鼎都具有一定的竞争实力,与欧美企业从事产品制造生产不同,台湾企业多以设计企业的形式出现。韩国企业则在中国台湾企业的冲击下,市场份额逐步减小。相对于中国台湾企业的快速发展和韩国企业在国内市场上的发展放缓,近年来本土企业在MOSFET产品上正在逐步发力,并且由代工服务向自主设计、自主研发转变。
  
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