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2005-2006年手机嵌入式内存现状和趋势研究报告
完成日期：2006年03月
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报告目录 查看简介
第一章、手机嵌入式内存概况1.1、手机嵌入式内存简介
1.2、PSRAM的三大派别
1.3、CellularRAM
1.4、COSMORAM
1.5、UtRAM
1.6、移动SDRAM
1.7、NOR和NAND之争
1.8、手机微硬盘与闪存
1.9、手机内存容量发展趋势
1.10、MCP关税
第二章：中国手机嵌入式内存市场
2.1、中国手机嵌入式内存市场概况
2.2、摩托罗拉手机内存使用分析
2.3、诺基亚手机内存使用分析
2.4、三星手机内存使用分析
2.5、波导手机内存使用分析
2.6、索尼爱立信手机内存使用分析
2.7、联想手机内存使用分析
2.8、夏新手机内存使用分析
2.9、LG手机内存使用分析
2.10、TCL手机内存使用分析
2.11、CECT手机内存使用状况分析
2.12、其他品牌手机内存使用状况分析
第三章：手机嵌入式内存品牌厂家研究
3.1、三星
3.2、英特尔
3.3、Spansion
3.4、意法半导体
3.5、Micron
3.6、东芝
3.7、夏普
3.8、Elpida
3.9、英飞凌
3.10、瑞萨
3.11、Hynix
3.12、NEC
3.13、Cypress Semiconductor
3.14、SST超捷半导体
3.15、华邦电子
3.16、力晶半导体
3.17、茂德科技
3.18、旺宏电子
3.19、M-System
3.20、晶豪科
3.21、钰创科技
部分图表目录
手机嵌入式内存发展路线图
PSRAM与SRAM技术对比
CellularRAM、MobileSDRAM 与普通PSRAM对比
CellularRAM主要特色
中国国产手机按出货量划分内存市场占有率
中国国产手机按出货比特划分内存市场占有率
中国手机市场上主要厂家用户内存平均容量统计
中国手机市场上主要厂家30万像素照相手机用户内存平均容量统计
中国手机市场上主要厂家130万像素照相手机用户内存平均容量统计
中国手机市场上主要厂家200万像素照相手机用户内存平均容量统计
图 摩托罗拉2005年新出手机用户内存容量分布图
图 诺基亚2005年新出手机用户内存容量分布图
图 三星2005年新出手机用户内存容量分布图
图 波导2005年新出手机用户内存容量分布图
图 索尼爱立信2005年新出手机用户内存容量分布图
图 联想2005年新出手机用户内存容量分布图
图 夏新2005年新出手机用户内存容量分布图
图LG2005年新出手机用户内存容量分布图
图TCL2005年新出手机用户内存容量分布图
三星2005年各部门收入比例统计
三星2005年各部门运营利润统计
三星DRAM领域2005年Q3到2006年Q1各类型产品比例
三星内存产品应用一览
三星OneNAND的结构图
英特尔04年4季度到05年4季度闪存销售额与亏损幅度统计
英特尔闪存特性一览
MirrorBit示意图
SPANSION产品结构图
ST公司结构图
ST2005年产品收入结构
ST2005年产品应用结构
ST内存部门2005年1-4季度收入与毛利率统计
2Bits/Cell技术原理图
2001-2005年美光收入与利润统计
2005年3季度DRAM各厂家市场占有率统计
美光连续5季度收入与毛利率统计
美光连续5季度研发费用、销售和管理费用统计
美光连续5季度投资额统计
美光产品部门结构
2005年美光各地区收入比例
美光产品基地一览
2005年4季度东芝各部门收入比例
2004年1季度-2005年3季度东芝半导体部门利润统计
东芝6芯片MCP剖面图
ELPIDA的股本结构图
ELPIDA2004财年1季度到2005财年3季度销售额与利润统计
ELPIDA各项业务2005财年各季度收入统计
ELPIDA各季度产品收入比例结构
英飞凌内存部门连续8季度收入与毛利率统计
英飞凌移动SDRAM内存产品型号解码图
英飞凌CellularRAM内存产品型号解码图
瑞萨产品代号解码图
Hynix的移动型SDRAM内存型号解码
Hynix的移动型PSRAM内存型号解码
图 2003-2005财年Hynix营业业绩
图 2003-2005Q4 Hynix营收产品组成
图 2001-2005财年 Cypress营业业绩
图 2001-2005H1 Cyrpess研发投入变化图
图 2003-2005财年Cypress营收部门比重
图 2000-2005财年SST营业业绩
图 2000-2005财年SST研发投入变化图
图 2002-2004财年SSY营收地域分布
图 2003-2004年华邦电子主要产品产能
图 2006年华邦电子DRAM产能规划
图 2004Q3-2005Q4华邦电子DRAM产品组成比重
图 2004Q3-2005Q4华邦电子DRAM产品尺寸组成比重
图 2001-2005财年华邦电子营业业绩
图 2005财年Q1－Q4华邦电子营收产品比重
图 2005财年Q1－Q4华邦电子营收市场应用比重
图 2002-2004财年华邦电子产品营收比重
图 2003-2004财年华邦电子营收地域分布
图 2001-2005财年力晶半导体营业业绩
图 2001-2005财年茂德科技营业业绩
图 2001-2005财年旺宏电子营业业绩
图 2002Q1-2005Q4旺宏电子毛利率变化图
图 2004Q4、2005Q4旺宏电子营收收入产品比重
图 2004-2005财年旺宏电子营收收入产品比重
图 2004Q4、2005Q4旺宏电子产品产量比重
图 2004-2005财年旺宏电子产品产量比重
图 2004Q4、2005Q4旺宏电子产品制程分布
图 2004-2005财年旺宏电子产品制程分布
图 2004-2005财年旺宏电子营收收入地域分布
图 晶豪科Mobile SDRAM产品
图 晶豪科Low Power RAM产品
图 2000-2005年Q3晶豪科营业业绩
图 2003-2005年H1晶豪科集成电路产品销量
图 2000-2005年H1钰创科技营收业绩
图 1991-2004年台湾Foundry和Memory市场营收变化图
图 2003-2006年中国大陆通信领域IC产品市场分布
图 钰创科技合作伙伴
表 摩托罗拉手机按照相像素对应用户内存容量
表 摩托罗拉常用内存表容量与价格一览
表 诺基亚手机按照相像素对应用户内存容量
表 诺基亚2005年12款手机内存型号与容量统计
表 三星手机按照相像素对应用户内存容量
表 波导手机按照相像素对应用户内存容量
表 波导2005年8款手机内存型号与容量统计
表 索尼爱立信手机按照相像素对应用户内存容量
表 联想手机按照相像素对应用户内存容量
表 夏新手机按照相像素对应用户内存容量
表 LG9款高档手机内存型号与容量统计
表 TCL 22款手机内存型号与容量统计
Spansion连续5季度销售额统计
Spansion晶圆制造工厂一览
Spansion 封装和测试工厂一览
ST闪存产品线一览
美光移动DDR型SDRAM产品一览
美光移动SDR型SDRAM产品一览
美光CellularRAM产品一览
东芝3芯片MCP配置表
东芝4芯片MCP配置表
东芝5芯片MCP配置表
夏普闪存产品一览表
ELPIDA移动DDR SDRAM产品一览
ELPIDA移动SDR SDRAM产品一览
英飞凌移动SDRAM内存产品一览表
英飞凌CellularRAM内存产品一览
瑞萨多芯片产品一览表
表 Hynix的Mobile SDR SDRAM产品
NEC的NOR闪存产品一览表
NEC移动RAM产品一览表
表 Cypress的MicroPower SRAM部分产品
表 Cypress的PSRAM部分产品
表 Cypress双端口MoBL产品
表 SST的MPF (Multi-Purpose Flash)部分产品
表 SST的CSF (Concurrent SuperFlash)部分产品
表 SST的ComboMemory部分产品
表 华邦电子工厂生产状况
表 2003-2004年华邦电子主要产品产量
表 2004年华邦电子主要产品销量
表 2005年Q1与Q2华邦电子DRAM投片量与制程比较
表 华邦电子Pseudo SRAM产品
表 华邦电子Low Power SDRAM产品
表 华邦电子Low Power DDR产品
表 华邦电子高容量 Flash 存储器产品
表 华邦电子Serial Flash产品
表 力晶晶元厂简介
表 力晶半导体DRAM 及代工产品开发量产时程
表 2003-2005H1力晶半导体产品销量
表 2003-2004年力晶半导体产品产量
表 茂德科技简介
表 茂德科技Mobile SDRAM产品
表 旺宏电子公司简介
表 旺宏电子Flash Memory 产品
表 旺宏电子3V Flash Compatible ROM产品
表 旺宏3V NAND ROM产品
表 旺宏Memory Card产品
M-DOC产品线一览
表 钰创科技之主要产品线
表 钰创科技内存芯片产品
报告摘要
随着手机功能的增多，性能的加强，内存所占手机的成本比例越来越高，某些高端手机和智能手机中内存所占的成本比例最高。因此，很有必要对手机内存做以详细的研究。
手机内存容量发展趋势
手机嵌入式内存发展路线图
手机用RAM内存目前以PSRAM为主，容量大约为32MB-64MB。PSRAM分为三大流派，一派是HYNIX、台湾华邦、NanoAmp Solutions、瑞萨、美光、英飞凌和CYPRESS，力推CellularRAM。另一派是东芝、富士通和NEC，力推COSMORAM。还有一派是三星力推UtRAM 。不过以PSRAM的结构和特性，在保持108平方毫米的PCB板面积下，PSRAM的容量很难超过256MB，超过256MB的RAM需求必须由SDRAM来满足。因此虽然分为三派，但是竞争并不激烈，因为未来手机RAM的需求量肯定要超过256MB，已经有不少智能手机使用了512MB的RAM，因此未来肯定是SDRAM的天下，PSRAM迟早退隐。
这就打破了原来手机RAM内存产业的格局，以前提供手机用PSRAM和SRAM内存的厂家主要是Cypress、NEC、东芝、三菱，这些厂家都无法提供SDRAM或者生产SDRAM内存缺乏竞争力。而一批原来生产DRAM内存的厂家如Hynix、Elpida、英飞凌和美光进入此领域，原本这些厂家都是PC领域的厂家。
NOR闪存的情况和RAM类似，NOR存储器最为严重的缺点之一是其密度不高。虽然速度和代码执行性能为其加分不少，但与NAND相比，其相对较低的密度却是其发展的障碍。NOR为低端到中档手机提供各种密度范围，从128到256 Mb，最高可达512Mb。NOR也能堆叠起来提供千兆级的密度，但眼下使用的最高密度是512Mb。一旦NOR闪存需求量超过512MB，如性能超强的智能手机，厂家倾向于采用NAND，因为NOR的成本太高，体积也稍大。不过NAND也有诸多缺陷。例如，系统无法从NAND直接启动。在稳定性方面，NAND存在位翻转(bit-flipping)、坏块(bad blocks)和寿命有限等隐患。而且，它使用一种非标准接口并且需要进行软件管理，而这些都提高了系统的成本。虽然有一些架构方面的方法可以帮助解决上述问题，但却还需要其它一些技术实现折衷来解决上述隐患。在推进NAND取代NOR的方向上，M-SYSTEM起了很大的作用，M-SYSTEM加上特别的软件和硬件设计（DiskOnChip）使NAND闪存可以像NOR一样使用，并且不需要外置一片NAND闪存，目前多以智能手机应用居多，或者国内某些具备手机U盘功能的手机，M-SYSTEM价格稍高，是阻碍其发展的原因。
NAND取代NOR的可能性存在，但是这个过程需要大约3-4时间，非智能型的高档 2.5G手机使用的NOR闪存大约为256-320MB。普通3G手机所需要的NOR闪存容量大约为256MB 。未来手机发展需求NOR闪存超过512MB需要1-2年。不过 2.5G手机会3-4年内都是主流机型，尤其中国本土手机厂家，比较节省成本，NOR闪存目前还是64-128MB为主。
因此NOR闪存需求量最大的还是256MB 容量的NOR闪存。NOR闪存主要的提供商有夏普、SST和Spansion缺乏NAND技术，而其他NOR闪存主要提供商英特尔、意法半导体、瑞萨、东芝、三星都有NAND技术，夏普和SST在NOR领域已经心意阑珊，只有Spansion在努力抵抗来自NAND的威胁，开发ORNAND。英特尔、意法半导体、瑞萨、东芝、三星都看好NAND。
三星SGH-i
以目前4GB闪存价格大约为80美元，而8GB的微硬盘大约为70美元。但是如果是采用4GB的MCP内存，用户实际可利用内存大约为1GB。所以2GB以上的存储需求最好还是由微硬盘来满足。也无怪三星连续推出3、4、8GB的微硬盘手机。上图就是三星在2006年3月10日推出的8GB微硬盘手机。要想用户内存平均成本和微硬盘相当，恐怕要等至少3年。
但是也有厂家采用单独的闪存芯片来保证高的利用效率。不过目前来看，成本还比较高。未来3年微硬盘在4GB以上市场具备优势。
来看几个具体例子，联想的旗舰手机ET980，这款智能手机采用Windows Mobile 5.0 for Pocket PC Phone开放操作系统，Intel PXA270的CPU，400万像素CCD摄像，支持Mini SD卡，10小时录音。 2.8英寸分辨率240*320的26万色TFT-LCD屏幕。这款手机采用三片内存，两片英飞凌的移动版SDRAM内存，型号为HYB18L256160BF，每一片内存的容量为256MB。一片采用M-SYSTEM公司设计的1GB NAND闪存，型号为MD4331-D1G-V3Q18，没有NOR闪存。很明显，NAND取代了NOR的位置。
再看夏新的E800 ，这是夏新很罕见的智能手机，采用Windows CE 操作系统，2.8英寸分辨率240*320的26万色TFT-LCD屏幕，110万像素的摄像头。其设计非常复杂，使用了4片内存，两片美光的MT48H4M16L，一片英特尔的RD38F1010，一片512MB的NAND闪存512MLX32。MT48H4M16L属于特殊的移动型SDRAM内存，有128MB的容量。不使用一片128MB内存的原因可能是夏新有MT48H4M16L的库存，或者是成本问题。依理而言，智能手机需要大容量的NOR闪存，不过NOR闪存价格非常高，而同容量的NAND闪存价格就很便宜，512MLX32是台湾模组厂封装的NAND闪存。夏新可能出于成本问题而采用NAND闪存。E8 的PDA系统和手机系统是分开的，而RD38F1010就是针对手机的。
随着手机功能的增多，性能的加强，内存所占手机的成本比例越来越高，某些高端手机和智能手机中内存所占的成本比例最高。因此，很有必要对手机内存做以详细的研究。
手机内存容量发展趋势
手机嵌入式内存发展路线图
手机用RAM内存目前以PSRAM为主，容量大约为32MB-64MB。PSRAM分为三大流派，一派是HYNIX、台湾华邦、NanoAmp Solutions、瑞萨、美光、英飞凌和CYPRESS，力推CellularRAM。另一派是东芝、富士通和NEC，力推COSMORAM。还有一派是三星力推UtRAM 。不过以PSRAM的结构和特性，在保持108平方毫米的PCB板面积下，PSRAM的容量很难超过256MB，超过256MB的RAM需求必须由SDRAM来满足。因此虽然分为三派，但是竞争并不激烈，因为未来手机RAM的需求量肯定要超过256MB，已经有不少智能手机使用了512MB的RAM，因此未来肯定是SDRAM的天下，PSRAM迟早退隐。
这就打破了原来手机RAM内存产业的格局，以前提供手机用PSRAM和SRAM内存的厂家主要是Cypress、NEC、东芝、三菱，这些厂家都无法提供SDRAM或者生产SDRAM内存缺乏竞争力。而一批原来生产DRAM内存的厂家如Hynix、Elpida、英飞凌和美光进入此领域，原本这些厂家都是PC领域的厂家。
NOR闪存的情况和RAM类似，NOR存储器最为严重的缺点之一是其密度不高。虽然速度和代码执行性能为其加分不少，但与NAND相比，其相对较低的密度却是其发展的障碍。NOR为低端到中档手机提供各种密度范围，从128到256 Mb，最高可达512Mb。NOR也能堆叠起来提供千兆级的密度，但眼下使用的最高密度是512Mb。一旦NOR闪存需求量超过512MB，如性能超强的智能手机，厂家倾向于采用NAND，因为NOR的成本太高，体积也稍大。不过NAND也有诸多缺陷。例如，系统无法从NAND直接启动。在稳定性方面，NAND存在位翻转(bit-flipping)、坏块(bad blocks)和寿命有限等隐患。而且，它使用一种非标准接口并且需要进行软件管理，而这些都提高了系统的成本。虽然有一些架构方面的方法可以帮助解决上述问题，但却还需要其它一些技术实现折衷来解决上述隐患。在推进NAND取代NOR的方向上，M-SYSTEM起了很大的作用，M-SYSTEM加上特别的软件和硬件设计（DiskOnChip）使NAND闪存可以像NOR一样使用，并且不需要外置一片NAND闪存，目前多以智能手机应用居多，或者国内某些具备手机U盘功能的手机，M-SYSTEM价格稍高，是阻碍其发展的原因。
NAND取代NOR的可能性存在，但是这个过程需要大约3-4时间，非智能型的高档 2.5G手机使用的NOR闪存大约为256-320MB。普通3G手机所需要的NOR闪存容量大约为256MB 。未来手机发展需求NOR闪存超过512MB需要1-2年。不过 2.5G手机会3-4年内都是主流机型，尤其中国本土手机厂家，比较节省成本，NOR闪存目前还是64-128MB为主。
因此NOR闪存需求量最大的还是256MB 容量的NOR闪存。NOR闪存主要的提供商有夏普、SST和Spansion缺乏NAND技术，而其他NOR闪存主要提供商英特尔、意法半导体、瑞萨、东芝、三星都有NAND技术，夏普和SST在NOR领域已经心意阑珊，只有Spansion在努力抵抗来自NAND的威胁，开发ORNAND。英特尔、意法半导体、瑞萨、东芝、三星都看好NAND。
三星SGH-i
以目前4GB闪存价格大约为80美元，而8GB的微硬盘大约为70美元。但是如果是采用4GB的MCP内存，用户实际可利用内存大约为1GB。所以2GB以上的存储需求最好还是由微硬盘来满足。也无怪三星连续推出3、4、8GB的微硬盘手机。上图就是三星在2006年3月10日推出的8GB微硬盘手机。要想用户内存平均成本和微硬盘相当，恐怕要等至少3年。
但是也有厂家采用单独的闪存芯片来保证高的利用效率。不过目前来看，成本还比较高。未来3年微硬盘在4GB以上市场具备优势。
来看几个具体例子，联想的旗舰手机ET980，这款智能手机采用Windows Mobile 5.0 for Pocket PC Phone开放操作系统，Intel PXA270的CPU，400万像素CCD摄像，支持Mini SD卡，10小时录音。 2.8英寸分辨率240*320的26万色TFT-LCD屏幕。这款手机采用三片内存，两片英飞凌的移动版SDRAM内存，型号为HYB18L256160BF，每一片内存的容量为256MB。一片采用M-SYSTEM公司设计的1GB NAND闪存，型号为MD4331-D1G-V3Q18，没有NOR闪存。很明显，NAND取代了NOR的位置。
再看夏新的E800 ，这是夏新很罕见的智能手机，采用Windows CE 操作系统，2.8英寸分辨率240*320的26万色TFT-LCD屏幕，110万像素的摄像头。其设计非常复杂，使用了4片内存，两片美光的MT48H4M16L，一片英特尔的RD38F1010，一片512MB的NAND闪存512MLX32。MT48H4M16L属于特殊的移动型SDRAM内存，有128MB的容量。不使用一片128MB内存的原因可能是夏新有MT48H4M16L的库存，或者是成本问题。依理而言，智能手机需要大容量的NOR闪存，不过NOR闪存价格非常高，而同容量的NAND闪存价格就很便宜，512MLX32是台湾模组厂封装的NAND闪存。夏新可能出于成本问题而采用NAND闪存。E8 的PDA系统和手机系统是分开的，而RD38F1010就是针对手机的。
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